Obiectul inventiei - Realizarea unui procedeu de obtinere a nanocompozitiilor semiconductor-metal prin umplerea cu metal a porilor unui templat poros de semiconductor.

Potentiali beneficiari - Producatorii de circuite optoelectronice si fotonice integrate.

CARACTERISTICI SPECIALE

Sunt cunoscute doua metode de preparare a nanocompozitilor metal-dielectric.
Una din aceste metode este injectarea sub presiune a unui material topit in vid in porii unui material poros. Dezavantajul consta in folosirea utilajului costisitor si a temperaturilor inalte, ceea ce poate duce la schimbarea nedorita a proprietatilor materialului poros.
Alta metoda folosita pentru obtinerea nanocompozitului metal-dielectric consta in umplerea electrochimica cu metal a porilor unui templat poros de oxid de aluminiu. In acest caz, dezavantajul consta in eficienta redusa de umplere a porilor - in cazul folosirii unui templat poros de semiconductor.
Tehnologia noastra, permite evitarea unor neajunsuri prin depunerea chimica a metalelor in interiorul porilor unui templat de semiconductor poros, suprafata caruia este sensibilizata si activata catalitic intr-un cimp ultrasonic. In calitate de templat semiconductor pot fi folosite straturi nanoporoase n-InP cu grosimea 40 ¡V 45 ƒÝm, obtinute prin corodarea electrochimica a substraturilor n-InP, in conditiile formarii unei retele bi-dimensionale hexagonale a porilor.
Noutatea procedeului consta in efectuarea sensibilizarii si activarii catalitice in cimp ultrasonic. Daca sensibilizarea si activarea are loc in lipsa cimpului ultrasonic, metalul nu se depune in interiorul porilor. Din contra, in cazul activarii suprafetei nanotemplatului InP in cimp ultrasonic are loc depunerea eficienta a cuprului in interiorul porilor si formarea unui nanocompozit InP-Cu cu umplerea eficienta si uniforma a porilor templatului.

AVANTAJE

• Posibilitatea aplicarii tehnologiilor de depunere chimica si electrochimica a metalelor atit in template dielectrice, cit si in semiconductoare;
• Folosirea utilajului ieftin;
• Pastrarea proprietatilor intacte ale materialului poros.

Stadiul de dezvoltare - Faza de dezvoltare - testare in laborator.

Unde a fost aplicata/testata - Universitatea Tehnica a Moldovei.

Tip de colaborare dorita - Parteneriat.