Obiectul inventiei - Produs

Potentiali beneficiari - Electronica industriala

CARACTERISTICI SPECIALE

Inventia se refera la tehnicile cu semiconductori si poate fi utilizata pentru detectarea cimpurilor magnetice si electromagnetice in sistemele electronice si optoelectronice moderne.
La aplicarea tensiunii de alimentare la contactele ohmice prin stratul activ curge curentul de lucru. In prezenta unui cimp magnetic pe contactele ohmice apare tensiunea Hall, valoarea careia depinde de tensiunea aplicata si intensitatea cimpului magnetic. Jonctiunea p-n formata local largeste posibilitatile functionale ale senzorului. La polarizarea directa a jonctiunii, curentul de lucru al senzorului se mareste cu valoarea curentului injectat prin jonctiune. La polarizarea inversa, curentul de lucru se micsoreaza, deoarece stratul de sarcina spatiala se extinde in stratul activ, blocind scurgerea curentului de lucru. Astfel, tensiunea Hall, inregistrata pe contactele Hall, poate fi modulata cu ajutorul semnalelor electrice aplicate la contactul jonctiunii p-n. Deoarece jonctiunea p-n are fotosensibilitate electiva, tensiunea Hall se moduleaza si cu ajutorul semnalelor optice incidente pe stratul InGaAsP. Curentul de lucru se mareste cu valoarea fotocurentului jonctiunii p-n, care depinde de intensitatea si frecventa fluxului incident. Un alt avantaj major al senzorului foto-electromagnetic, care il transforma intr-un dispozitiv multifunctional, este ca, in dependenta de necesitati, el poate actiona separat ca senzor Hall obisnuit, fotodioda, magnetorezistor, magnetodida.

AVANTAJE

• polaritatea si valoarea tensiunii aplicate jonctiunii p-n;
• intensitatea fluxului optic incident;
• lungimea de unda a radiatiei incidente;
• frecventa semnalului optic incident.

Stadiul de dezvoltare - testare in laborator

Unde a fost aplicata/testata - Universitatea Tehnica a Moldovei.

Tip de colaborare dorita - Comercializarea produsului finit, parteneriat, investitii.